Русский В рамках освоения программы аспирантуры выпускники могут решать следующие профессиональные задачи, структурированные по типам задач профессиональной деятельности:
- разработка методов научного исследования;
- получение новых фундаментальных знаний в области физической электроники и смежных областей;
- применения этих знаний для создания прикладных технологий.
Область профессиональной деятельности выпускников, освоивших программу аспирантуры, включает решение проблем, требующих применение фундаментальных знаний в области науки и техники, связанных с исследованием физических явлений, составляющих основу для разработок и создания новых электронных приборов, устройств и технологий электронной техники и аналитического приборостроения.
Ключевые особенности:
Концепция программы реализуется на основе сочетания теоретического и практического подхода к обучению аспирантов таким образом, чтобы полученные знания, умения и навыки позволяли выпускникам осуществлять научное руководство научно-исследовательской и проектной деятельностью в различных направлениях физической электроники, применять перспективные теории, технологии и оборудование, интерпретировать и представлять результаты научных исследований, знать теоретические основы в данной области, а также уметь данную информацию использовать в своей научно-исследовательской, прикладной и проектной деятельности.
Использование современных баз научных статей (РИНЦ, Scopus, IEEE Xplore).
Использование современного оборудования (комплексная система attoAFM I — Cryogenic Microscope System, монокристальный рентгеновский дифрактометр SuperNova (Agilent), сканирующие зондовые микроскопы высокого разрешения (СТМ и АСМ)
По результатам исследований — написание статей, входящих в базы Scopus, IEEE Xplore, ВАК и Белый список, участие во всероссийских и международных конференциях.
- Электроника газовых сред
- Когерентная оптика
- Корпускулярная оптика
- Физика поверхности и низкоразмерных структур
- Физическая электроника
- Электроника и приборы СВЧ
- Исследователь
- Преподаватель-исследователь
- Импульсная электрическая прочность полимерных пленок
- Влияние электрических полей на процессы микроскопической перестройки структуры в антисегнетоэлектриках и их твердых растворах
- Механизмы формирования металлических наночастиц во фторидных кристаллах при электронном облучении
- Последовательность фазовых переходов в тонких плёнках антисегнетоэлектрика цирковата свинца
- Модельное описание критической динамики антисегнетоэлектриков и их твердых растворов
- Фазовые переходы в антисегнетоэлектрических перовскитах при высоких давлениях
- Особенности электрон-фононного взаимодействия в наноструктурах на основе углерода и возможности их использования для улучшения параметров электронных устройств
- Мощные гиротроны миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Генерация мощного СВЧ-излучения для управляемого термоядерного синтеза (УТС).
- Широкополосные СВЧ-устройства со скрещенными полями. Генерация мощных квазишумовых сигналов и совершенствование амплитронов.
- Искусственные нанокомпозитные структуры на основе диэлектрических пористых матриц.
- Исследование возникновения микротрещин при низких температурах и в сильных магнитных полях.
- Исследование сегнетоэлектрической и магнитной доменных структур и их температурной эволюции.
- Эмиссионная электроника и новые материалы. Создание холодных полевых эмиттеров на основе наноструктур и композитов.
- Научно-образовательный центр «Физика нанокомпозитных материалов электронной техники»
- Лаборатория взаимодействия ионов с поверхностью
- Лаборатория мощной СВЧ электроники
- Научно-исследовательская лаборатория «Самоорганизующиеся высокотемпературные наноструктуры»
- Лаборатория корпускулярной оптики
- Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе
Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе, расположенный напротив Политехнического университета, является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии. ФТИ основан по инициативе группы сотрудников Политехнического института в 1918 и с тех пор является ближайшим партнером Политеха.
- Институт аналитического приборостроения РАН
ИАП РАН создан в 1977 г. как головная организация Научно-технического объединения Академии наук СССР. В настоящее время институт занимается разработкой методов, приборов и технологий по следующим основным направлениям:
• Методы и приборы диагностики поверхности, элементного и структурного анализа веществ и соединений.
• Методы и приборы нанотехнологии и нанодиагностики. Наноструктуры.
• Методы и приборы для исследований в науках о жизни и медицине. Микро- и наносистемная техника, нанобиотехнология.
• Информационные технологии, системы автоматизации, математическое моделирование в научном приборостроении.